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二價(jià)銅離子在堿性環(huán)境下極易生成氫氧化銅沉淀，需加入過(guò)量的氨水，使之生成穩(wěn)定的氨銅錯(cuò)離子團(tuán)；過(guò)量的氨使反應(yīng)生成的不穩(wěn)定Cu(NH3)2Cl 再生成穩(wěn)定的具有氧化性的Cu(NH3)4Cl2，使反應(yīng)不斷的進(jìn)行。

生產(chǎn)過(guò)程中自動(dòng)控制通過(guò)監(jiān)測(cè)PH值，比重，進(jìn)行補(bǔ)加氨水和新液，而達(dá)到連續(xù)生產(chǎn)的目的。

3）蝕刻工藝流程及原理

一.酸性氯化銅蝕刻 

1.工藝流程

2.工藝原理

—顯影

定義：利用碳酸鈉的弱堿性將干膜上未經(jīng)紫外線輻射的部分用碳酸鈉溶液溶解，已經(jīng)紫外線輻射而發(fā)生聚合反應(yīng)的部分保留。

—原理

CO3-2  + ResistCOOH        HCO3-  + Resist COO-

CO3-2主要為Na2CO3 或K2CO3   

ResistTOOH為干膜及油墨中反應(yīng)官能基團(tuán)，利用CO3-2與阻劑中羧基（COOH）進(jìn)行酸堿中和反應(yīng)，形成COO-和H CO3- ，使阻劑形成陰離子團(tuán)而剝離。  

－蝕刻

定義：將溶解了干膜（濕膜）而露出的銅面用酸性氯化銅溶解腐蝕，此過(guò)程叫蝕刻。

影響因素：主要是溶液中Cl- 、Cu+的含量，溶液的溫度及Cu2+的濃度等。

－褪膜

藥水：NaOH  3+/-0.5%

除泡劑0.1～0.2％

定義：將線路上的保護(hù)膜去掉，露出已加工好的線路。影響褪膜效果因素：褪膜溫度及速度，藥水濃度

注意：褪膜溫度低，速度慢，藥水濃度低，會(huì)導(dǎo)致褪膜不凈；藥水濃度高，會(huì)導(dǎo)致板面氧化。

褪膜段噴嘴要及時(shí)清洗，防止碎片堵塞噴嘴，影響褪膜質(zhì)量

二.堿性蝕刻 

1.工藝流程

注：整孔工序僅適用于沉金制板

2.工藝原理

－褪膜

定義：用褪菲林液將線路板面上蓋住的菲林褪去,露出未經(jīng)線路加工的銅面.經(jīng)電鍍工序后的干膜在堿性褪膜液下溶解或部分成片狀脫落,我司使用的是3% ±0.5%氫氧化鈉溶液.為維持藥液的效果,需注意過(guò)濾的效果,及時(shí)過(guò)濾去片狀的干膜碎,防止堵塞噴嘴. 

注：內(nèi)外層褪膜段使用藥水及控制相同，但外層干膜厚為1.5mil左右,經(jīng)圖形電鍍后，銅厚和錫厚之和通常超過(guò)1.5mil，需控制圖形電鍍電流參數(shù)防止夾膜，同時(shí)控制褪膜速度以防褪膜不凈而短路。