新聞中心
歡迎訪問深圳市鴻明精密電路有限公司官網(wǎng)
深圳市鴻明精密電路有限公司
從圖中可以看出:
-當(dāng)鹽酸溶度升高時(shí),蝕刻時(shí)間減少,但超過6 N酸其鹽酸,揮發(fā)量大,且對(duì)造成對(duì)設(shè)備的腐蝕,并隨著酸濃度的增加,氯化銅的溶解度迅速降低。
在氯化銅溶液中發(fā)生銅的蝕刻反應(yīng)時(shí),生成的CuCl2不易溶于水,則在銅的表面形成一層氯化亞銅膜,這種膜能阻止反應(yīng)的進(jìn)一步進(jìn)行,過量的Cu-能與Cu2Cl2結(jié)合形成可溶性的絡(luò)離子[Cu1+Cl3]2-,從銅表面上溶解下來(lái),從而提高蝕刻速率。
2.Cu+含量的影響
根據(jù)蝕刻反應(yīng),隨著銅的蝕刻就會(huì)形成一價(jià)銅離子,較微量的Cu+會(huì)顯著地降低蝕刻速率。
根據(jù)奈恩斯物方程:
E-指定濃度下的電極電位
n- 得失電子數(shù)
[ Cu2+ ]- 二價(jià)銅離子濃度
[ Cu+]- 一價(jià)銅離子濃度
Cu+濃度與氧化--還原電位之間的關(guān)系
溶液氧化一還原反應(yīng)位與蝕刻速率的關(guān)系
從圖中可以看出,隨著Cu+濃度的不斷升高,氧化還原電位不斷下降。當(dāng)氧化還原電位在530mu時(shí),Cu1+濃度低于0.4g/l能提供最理想的高的和幾乎恒定的蝕刻速率。
3.Cu2+含量的影響
溶液中Cu2+含量對(duì)蝕刻速率的關(guān)系:
當(dāng)Cu2+低時(shí),反應(yīng)較緩慢,但當(dāng)Cu2+達(dá)到一定濃度時(shí)也會(huì)反應(yīng)速率降低。
4.溫度對(duì)蝕刻速率的影響
隨著溫度提高蝕刻時(shí)間越短,一般在40-55℃間,當(dāng)溫度高時(shí)會(huì)引起HCl過多地?fù)]發(fā)造成溶液比例失調(diào),另溫度較高也會(huì)引起機(jī)器損傷及阻蝕層的破壞。
二.堿性氨類蝕刻液
蝕刻液的PH值,比重( Cu2+的濃度),氯化氨濃度以及蝕刻液的溫度等對(duì)蝕刻速度均有影響。
1.Cu2+含量的影響
-Cu2+過低,蝕刻速率低,且溶液控制困難;
- Cu2+過高,溶液不穩(wěn)定,易生成沉淀;
- 須控制Cu2+濃度在115~135g/l,連續(xù)生產(chǎn)則通過比重來(lái)控制。
2.溶液PH值的影響
-PH值過低,對(duì)金屬抗蝕層不利;且溶液中的銅不能完全被絡(luò)合成銅氨絡(luò)離子,溶液要出現(xiàn)沉淀,并在槽底形成泥狀沉淀。這些沉淀能結(jié)在加熱器上形成硬皮,可能損壞加熱器,還會(huì)堵塞泵或噴嘴,對(duì)蝕刻造成困難。