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深圳市鴻明精密電路有限公司

PCB蝕刻基礎(chǔ)知識
來源: | 作者:id20854921 | 發(fā)布時間: 2018-01-30 | 51596 次瀏覽 | 分享到:

二價銅離子在堿性環(huán)境下極易生成氫氧化銅沉淀,需加入過量的氨水,使之生成穩(wěn)定的氨銅錯離子團;過量的氨使反應(yīng)生成的不穩(wěn)定Cu(NH3)2Cl 再生成穩(wěn)定的具有氧化性的Cu(NH3)4Cl2,使反應(yīng)不斷的進(jìn)行。

生產(chǎn)過程中自動控制通過監(jiān)測PH值,比重,進(jìn)行補加氨水和新液,而達(dá)到連續(xù)生產(chǎn)的目的。


3)蝕刻工藝流程及原理

一.酸性氯化銅蝕刻 

1.工藝流程

2.工藝原理

—顯影

定義:利用碳酸鈉的弱堿性將干膜上未經(jīng)紫外線輻射的部分用碳酸鈉溶液溶解,已經(jīng)紫外線輻射而發(fā)生聚合反應(yīng)的部分保留。

原理

CO3-2  + ResistCOOH        HCO3-  + Resist COO-

CO3-2主要為Na2CO3 或K2CO3   

ResistTOOH為干膜及油墨中反應(yīng)官能基團,利用CO3-2與阻劑中羧基(COOH)進(jìn)行酸堿中和反應(yīng),形成COO-和H CO3- ,使阻劑形成陰離子團而剝離。  

-蝕刻

定義:將溶解了干膜(濕膜)而露出的銅面用酸性氯化銅溶解腐蝕,此過程叫蝕刻。

影響因素:主要是溶液中Cl- 、Cu+的含量,溶液的溫度及Cu2+的濃度等。


-褪膜

藥水:NaOH  3+/-0.5%

除泡劑0.1~0.2%

定義:將線路上的保護(hù)膜去掉,露出已加工好的線路。影響褪膜效果因素:褪膜溫度及速度,藥水濃度

注意:褪膜溫度低,速度慢,藥水濃度低,會導(dǎo)致褪膜不凈;藥水濃度高,會導(dǎo)致板面氧化。

褪膜段噴嘴要及時清洗,防止碎片堵塞噴嘴,影響褪膜質(zhì)量

二.堿性蝕刻 

1.工藝流程


注:整孔工序僅適用于沉金制板

2.工藝原理

-褪膜

定義:用褪菲林液將線路板面上蓋住的菲林褪去,露出未經(jīng)線路加工的銅面.經(jīng)電鍍工序后的干膜在堿性褪膜液下溶解或部分成片狀脫落,我司使用的是3% ±0.5%氫氧化鈉溶液.為維持藥液的效果,需注意過濾的效果,及時過濾去片狀的干膜碎,防止堵塞噴嘴. 

注:內(nèi)外層褪膜段使用藥水及控制相同,但外層干膜厚為1.5mil左右,經(jīng)圖形電鍍后,銅厚和錫厚之和通常超過1.5mil,需控制圖形電鍍電流參數(shù)防止夾膜,同時控制褪膜速度以防褪膜不凈而短路。

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