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從圖中可以看出：

－當(dāng)鹽酸溶度升高時(shí)，蝕刻時(shí)間減少，但超過(guò)6 N酸其鹽酸，揮發(fā)量大，且對(duì)造成對(duì)設(shè)備的腐蝕，并隨著酸濃度的增加，氯化銅的溶解度迅速降低。

在氯化銅溶液中發(fā)生銅的蝕刻反應(yīng)時(shí)，生成的CuCl2不易溶于水，則在銅的表面形成一層氯化亞銅膜，這種膜能阻止反應(yīng)的進(jìn)一步進(jìn)行，過(guò)量的Cu-能與Cu2Cl2結(jié)合形成可溶性的絡(luò)離子[Cu1+Cl3]2-，從銅表面上溶解下來(lái)，從而提高蝕刻速率。

2.Cu+含量的影響

根據(jù)蝕刻反應(yīng)，隨著銅的蝕刻就會(huì)形成一價(jià)銅離子，較微量的Cu+會(huì)顯著地降低蝕刻速率。

根據(jù)奈恩斯物方程：

E－指定濃度下的電極電位   

n－ 得失電子數(shù)

[ Cu2+ ]－  二價(jià)銅離子濃度   

[ Cu+]－    一價(jià)銅離子濃度

Cu+濃度與氧化--還原電位之間的關(guān)系

溶液氧化一還原反應(yīng)位與蝕刻速率的關(guān)系

從圖中可以看出，隨著Cu+濃度的不斷升高，氧化還原電位不斷下降。當(dāng)氧化還原電位在530mu時(shí)，Cu1+濃度低于0.4g/l能提供最理想的高的和幾乎恒定的蝕刻速率。

3.Cu2+含量的影響

溶液中Cu2+含量對(duì)蝕刻速率的關(guān)系：

當(dāng)Cu2+低時(shí)，反應(yīng)較緩慢，但當(dāng)Cu2+達(dá)到一定濃度時(shí)也會(huì)反應(yīng)速率降低。

4.溫度對(duì)蝕刻速率的影響

隨著溫度提高蝕刻時(shí)間越短，一般在40-55℃間,當(dāng)溫度高時(shí)會(huì)引起HCl過(guò)多地?fù)]發(fā)造成溶液比例失調(diào),另溫度較高也會(huì)引起機(jī)器損傷及阻蝕層的破壞。

二.堿性氨類蝕刻液

蝕刻液的PH值，比重（ Cu2+的濃度），氯化氨濃度以及蝕刻液的溫度等對(duì)蝕刻速度均有影響。

1.Cu2+含量的影響

－Cu2+過(guò)低，蝕刻速率低，且溶液控制困難；

－ Cu2+過(guò)高，溶液不穩(wěn)定，易生成沉淀；

－ 須控制Cu2+濃度在115~135g/l，連續(xù)生產(chǎn)則通過(guò)比重來(lái)控制。

2.溶液PH值的影響  

－PH值過(guò)低，對(duì)金屬抗蝕層不利；且溶液中的銅不能完全被絡(luò)合成銅氨絡(luò)離子，溶液要出現(xiàn)沉淀，并在槽底形成泥狀沉淀。這些沉淀能結(jié)在加熱器上形成硬皮，可能損壞加熱器，還會(huì)堵塞泵或噴嘴，對(duì)蝕刻造成困難。